(3)在Ga掺杂的基础上，暨智引入少量的In，可以极大的提高载流子浓度和电导率，并且进一步降低了晶格热导率
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图二、网展脱锂后第二类缺陷的形式和运动。（a-b）原始Li2MnO3（001）中具有b/6[110]矢量的堆垛层错透射电子显微镜（TEM）图像，暨智通过相应的电子衍射可被证实（b）。
该研究揭示了晶体缺陷与富锂金属氧化物材料电化学行为之间的重要联系，第1电力电工这可能为进一步理解和控制氧化还原反应铺平道路，第1电力电工特别是在高容量Li2MnO3的电极中。（f-h）分别为原始Li2MnO3（f）和产生的缺陷（g，中国h）提供相应的密度泛函理论（DFT）结构模型。